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IRFU2307ZPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 175°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 110W Tc
Turn On Delay Time 16 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 32A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2190pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 44 ns
Continuous Drain Current (ID) 53A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 75V
Recovery Time 47 ns
Rds On Max 16 mΩ
Height 6.22mm
Width 2.3876mm
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Termination Through Hole
Min Operating Temperature -55°C
Number of Elements 1
Power Dissipation 110W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 65ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 29 ns
Reverse Recovery Time 31 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Input Capacitance 2.19nF
Drain to Source Resistance 16mOhm
Nominal Vgs 4 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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