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IRFU4510PBF Spécifications techniques
MOSFET N CH 100V 56A IPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2012 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 143W |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 34 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 56A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Nominal Vgs | 3 V |
Length | 6.73mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Power Dissipation-Max | 143W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9m Ω @ 38A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3031pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 42 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 252A |
Height | 6.22mm |
Width | 2.39mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFU4510PBF Documents
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