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IRFU5305PBF Spécifications techniques
IRFU5305PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 65mOhm |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | -28A |
Lead Pitch | 2.28mm |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 89W |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A Tc |
Rise Time | 66ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 63 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -31A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -55V |
Nominal Vgs | -4 V |
Length | 6.6mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
Voltage - Rated DC | -55V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Lead Length | 9.65mm |
Power Dissipation-Max | 110W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65m Ω @ 16A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 39 ns |
Threshold Voltage | -4V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 25A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 280 mJ |
Height | 6.1mm |
Width | 2.3mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
IRFU5305PBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRFU5305 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2616 |
IRFU5305PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 33299 |
IRFU5305PBF MOS | IR | Circuits intégrés spécialisés | 916 |
IRFU5305PBF. | IR | Circuits intégrés spécialisés | 16300 |
IRFU540ZPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2568 |
IRFU5410 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2741 |
IRFU5410PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 247638 |
IRFU5410PBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRFU5410PBF IC | IR | Circuits intégrés spécialisés | 3367 |
IRFU5505 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5018 |
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