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IRFZ46NPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 53A
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 107W Tc
Current 40A
Power Dissipation 88W
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 53A Tc
Rise Time 76ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 52 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 55V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.54mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 55V
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Lead Pitch 2.54mm
Voltage 55V
Element Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5m Ω @ 28A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1696pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 57 ns
Continuous Drain Current (ID) 53A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Recovery Time 101 ns
Height 8.77mm
Width 4.69mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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