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IRG4BC30FD1 Spécifications techniques

IRG4BC30FD1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 46ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Turn On Time 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A
Gate Charge 57nC
Td (on/off) @ 25°C 22ns/250ns
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 100W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
JEDEC-95 Code TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 31A
Test Condition 480V, 17A, 23 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 740 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 370μJ (on), 1.42mJ (off)
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IRG4BC30FD1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, IRG4BC30FD1 prix de référence. IRG4BC30FD1 paramètres, IRG4BC30FD1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRG4BC30FD1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRG4BC30FD1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRG4BC30FD1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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