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IRG4BC30S-S
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IRG4BC30S-S Spécifications techniques
IRG4BC30S-S datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Power Dissipation-Max (Abs) | 100W |
Test Condition | 480V, 18A, 23 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 1550 ns |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 68A |
Switching Energy | 260μJ (on), 3.45mJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6V |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 100W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Current - Collector (Ic) (Max) | 34A |
Turn On Time | 40 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 18A |
Gate Charge | 50nC |
Td (on/off) @ 25°C | 22ns/540ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Fall Time-Max (tf) | 590ns |
IRG4BC30S-S Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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