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IRG4PC50WPBF Spécifications techniques

IGBT 600V 55A 200W TO247AC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 200W
Current Rating 55A
Element Configuration Dual
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 46 ns
Rise Time 33ns
Turn-Off Delay Time 120 ns
Max Collector Current 55A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 27A
Gate Charge 180nC
Td (on/off) @ 25°C 46ns/120ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 86ns
Length 15.875mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2000
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Voltage - Rated DC 600V
Terminal Position SINGLE
Number of Elements 1
Power Dissipation 200W
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.3V
JEDEC-95 Code TO-247AC
Collector Emitter Saturation Voltage 2.3V
Test Condition 480V, 27A, 5 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 272 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 220A
Switching Energy 80μJ (on), 320μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Height 20.2946mm
Width 5.3mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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