IRG4PH40KPBF Spécifications techniques

IRG4PH40KPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 160W
Number of Elements 1
Power Dissipation 160W
Input Type Standard
Rise Time 22ns
Collector Emitter Voltage (VCEO) 3.4V
JEDEC-95 Code TO-247AC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 15A
Gate Charge 94nC
Td (on/off) @ 25°C 30ns/200ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 20.701mm
Width 5.3086mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Voltage - Rated DC 1.2kV
Current Rating 30A
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application MOTOR CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 30A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 2.74V
Test Condition 960V, 15A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 1200 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Switching Energy 730μJ (on), 1.66mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Length 15.875mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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