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IRG4RC10SDPBF Spécifications techniques

IGBT 600V 14A 38W DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Voltage - Rated DC 600V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 14A
Base Part Number IRG4RC10SDPBF
Number of Elements 1
Power Dissipation 38W
Input Type Standard
Rise Time 31ns
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.8V
Reverse Recovery Time 28 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A
Gate Charge 15nC
Td (on/off) @ 25°C 76ns/815ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 1080ns
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish MATTE TIN OVER NICKEL
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 38W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 14A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7V
Test Condition 480V, 8A, 100 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 1780 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 18A
Switching Energy 310μJ (on), 3.28mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Height 1.2446mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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