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IRG4RC10UDTRLP Spécifications techniques

IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code compliant
Base Part Number IRG4RC10UDPBF
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 28ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Turn On Time 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A
Gate Charge 15nC
Td (on/off) @ 25°C 40ns/87ns
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 38W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
JEDEC-95 Code TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max) 8.5A
Test Condition 480V, 5A, 100 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 345 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 34A
Switching Energy 140μJ (on), 120μJ (off)
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