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IRG7CH50K10EF Spécifications techniques

IGBT CHIP WAFER

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code S-XUUC-N2
Configuration SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 25A
IGBT Type Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C 50ns/280ns
VCEsat-Max 2.2 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form NO LEAD
Number of Elements 1
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 35A
Test Condition 600V, 35A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 635 ns
Gate Charge 170nC
Gate-Emitter Voltage-Max 30V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.5V
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IRG7CH50K10EF fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, IRG7CH50K10EF prix de référence. IRG7CH50K10EF paramètres, IRG7CH50K10EF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRG7CH50K10EF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRG7CH50K10EF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRG7CH50K10EF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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