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IRG7PH35UD1PBF
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IRG7PH35UD1PBF Spécifications techniques
IRG7PH35UD1PBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | SINGLE |
Base Part Number | IRG7PH35 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
JEDEC-95 Code | TO-247AC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Test Condition | 600V, 20A, 10 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 400 ns |
Gate Charge | 85nC |
Td (on/off) @ 25°C | -/160ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 30V |
Fall Time-Max (tf) | 105ns |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Reach Compliance Code | compliant |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 179W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Power Dissipation-Max (Abs) | 179W |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
IGBT Type | Trench |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
Switching Energy | 620μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
IRG7PH35UD1PBF Documents
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Feuilles de données
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