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IRG7PH37K10D-EPBF Spécifications techniques

IGBT 1200V 45A 216W TO247AD

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Rise Time-Max 45ns
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 45A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Test Condition 600V, 15A, 10 Ω, 15V
Gate Charge 135nC
Td (on/off) @ 25°C 50ns/240ns
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.5V
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 216W
Element Configuration Single
Power - Max 216W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.4V
Reverse Recovery Time 120 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Switching Energy 1mJ (on), 600μJ (off)
Fall Time-Max (tf) 100ns
RoHS Status RoHS Compliant
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