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IRG7PSH54K10DPBF Spécifications techniques

IGBT 1200V 120A 520W TO274AA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 19 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 247
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Rise Time-Max 105ns
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.4V
Reverse Recovery Time 170 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Collector Emitter Saturation Voltage 2.4V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
Switching Energy 4.8mJ (on), 2.8mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.5V
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Packaging Tube
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 520W
Element Configuration Single
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 65A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Test Condition 600V, 50A, 5 Ω, 15V
Gate Charge 435nC
Td (on/off) @ 25°C 110ns/490ns
Gate-Emitter Voltage-Max 30V
Fall Time-Max (tf) 90ns
RoHS Status RoHS Compliant
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IRG7PSH54K10DPBF fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, IRG7PSH54K10DPBF prix de référence. IRG7PSH54K10DPBF paramètres, IRG7PSH54K10DPBF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRG7PSH54K10DPBF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRG7PSH54K10DPBF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRG7PSH54K10DPBF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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