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IRG7PSH73K10PBF
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IRG7PSH73K10PBF Spécifications techniques
IRG7PSH73K10PBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2010 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 1.15kW |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Turn On Delay Time | 63 ns |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Turn-Off Delay Time | 267 ns |
Max Collector Current | 220A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Turn On Time | 172 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 75A |
IGBT Type | Trench |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
Switching Energy | 7.7mJ (on), 4.6mJ (off) |
Height | 20.8mm |
Width | 5.5mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-274AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 1.15kW |
Input Type | Standard |
Power - Max | 1150W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2.3V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2V |
Test Condition | 600V, 75A, 4.7 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 567 ns |
Gate Charge | 360nC |
Td (on/off) @ 25°C | 63ns/267ns |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 7.5V |
Length | 16.0782mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
IRG7PSH73K10PBF Documents
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