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IRG8P08N120KD-EPBF
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IRG8P08N120KD-EPBF Spécifications techniques
IRG8P08N120KD-EPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2015 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Power Dissipation | 89W |
Element Configuration | Single |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2V |
Reverse Recovery Time | 50 ns |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
Td (on/off) @ 25°C | 20ns/160ns |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Weight | 6.500007g |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Reach Compliance Code | unknown |
Input Type | Standard |
Max Collector Current | 8A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Test Condition | 600V, 5A, 47 Ω, 15V |
Gate Charge | 45nC |
Switching Energy | 300μJ (on), 300μJ (off) |
Lead Free | Lead Free |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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