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IRGB4056DPBF
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IRGB4056DPBF Spécifications techniques
IRGB4056DPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 140W |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.85V |
Reverse Recovery Time | 68 ns |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Turn On Time | 48 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 12A |
IGBT Type | Trench |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 48A |
Switching Energy | 75μJ (on), 225μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6.5V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 6.000006g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2006 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 140W |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Turn On Delay Time | 40 ns |
Rise Time | 17ns |
Turn-Off Delay Time | 94 ns |
Max Collector Current | 24A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55V |
Test Condition | 400V, 12A, 22 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 143 ns |
Gate Charge | 25nC |
Td (on/off) @ 25°C | 31ns/83ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Height | 9.02mm |
Width | 4.826mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRGB4056DPBF Documents
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