IRGB5B120KDPBF Spécifications techniques

IRGB5B120KDPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 89W
Element Configuration Single
Input Type Standard
Power - Max 89W
Turn-Off Delay Time 100 ns
Max Collector Current 12A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Test Condition 600V, 6A, 50Ohm, 15V
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 24A
Switching Energy 390μJ (on), 330μJ (off)
Length 10.5156mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 1.2kV
Current Rating 12A
Power Dissipation 89W
Turn On Delay Time 22 ns
Rise Time 19ns
Collector Emitter Voltage (VCEO) 3V
Reverse Recovery Time 160 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 6A
Gate Charge 25nC
Td (on/off) @ 25°C 22ns/100ns
Height 15.24mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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