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IRGIB10B60KD1P
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IRGIB10B60KD1P Spécifications techniques
IGBT 600V 16A 44W TO220FP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Part Status | Last Time Buy |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Max Power Dissipation | 44W |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | ISOLATED |
Transistor Application | MOTOR CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 16A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.1V |
Test Condition | 400V, 10A, 50 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 288 ns |
Gate Charge | 41nC |
Td (on/off) @ 25°C | 25ns/180ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Fall Time-Max (tf) | 87ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Weight | 2.299997g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 600V |
Current Rating | 16A |
Element Configuration | Single |
Input Type | Standard |
Rise Time | 24ns |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2.1V |
Reverse Recovery Time | 79 ns |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Turn On Time | 46 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 32A |
Switching Energy | 156μJ (on), 165μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 5.5V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
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Feuilles de données
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