IRGP35B60PDPBF Spécifications techniques

IRGP35B60PDPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2000
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Additional Feature HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 60A
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 26 ns
Rise Time 6ns
Turn-Off Delay Time 110 ns
Max Collector Current 60A
JEDEC-95 Code TO-247AC
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85V
Test Condition 390V, 22A, 3.3 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 142 ns
Gate Charge 160nC
Td (on/off) @ 25°C 26ns/110ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 20.7mm
Width 5.3086mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 308W
Number of Elements 1
Power Dissipation 308W
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.55V
Reverse Recovery Time 42 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 35A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 220μJ (on), 215μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5V
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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