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IRGP4063D1-EPBF
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IRGP4063D1-EPBF Spécifications techniques
IGBT 600V 100A 330W TO-247AD
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Base Part Number | IRGP4063D |
Input Type | Standard |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 100A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.14V @ 15V, 48A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 192A |
Switching Energy | 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6.5V |
Length | 15.87mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 330W |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 330W |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2.14V |
Reverse Recovery Time | 80 ns |
Test Condition | 400V, 48A, 10 Ω, 15V |
Gate Charge | 150nC |
Td (on/off) @ 25°C | 60ns/160ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Height | 20.7mm |
Width | 5.13mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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