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IRGP4066DPBF Spécifications techniques

IRGP4066DPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Input Type Standard
Power - Max 454W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.1V
Reverse Recovery Time 155 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 225A
Switching Energy 2.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Height 20.7mm
Width 5.31mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 454W
Rise Time-Max 90ns
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 70 ns
Transistor Application POWER CONTROL
Turn-Off Delay Time 225 ns
Max Collector Current 140A
JEDEC-95 Code TO-247AC
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7V
Test Condition 400V, 75A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 310 ns
Gate Charge 150nC
Td (on/off) @ 25°C 50ns/200ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 80ns
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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