IRGP4068DPBF Spécifications techniques

IRGP4068DPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 330W
Number of Elements 1
Power Dissipation 330W
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.14V
JEDEC-95 Code TO-247AC
Collector Emitter Saturation Voltage 2.14V
Test Condition 400V, 48A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 210 ns
Gate Charge 95nC
Td (on/off) @ 25°C -/145ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 20.7mm
Width 5.3086mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 96A
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application POWER CONTROL
Turn-Off Delay Time 145 ns
Max Collector Current 96A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 180 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.14V @ 15V, 48A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 144A
Switching Energy 1.28mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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