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IRGP4072DPBF Spécifications techniques

IRGP4072DPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 180W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 70A
JEDEC-95 Code TO-247AC
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7V
Test Condition 240V, 40A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 309 ns
Gate Charge 73nC
Td (on/off) @ 25°C 18ns/144ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 124ns
Length 15.875mm
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Rise Time-Max 50ns
Power Dissipation 180W
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.7V
Reverse Recovery Time 122 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 300V
Turn On Time 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 40A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 409μJ (on), 838μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5V
Height 20.701mm
Width 5.3086mm
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