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IRGP4262DPBF Spécifications techniques

IGBT 650V 60A 250W TO247AC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Rise Time-Max 45ns
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 60A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 24A, 10 Ω, 15V
Gate Charge 70nC
Td (on/off) @ 25°C 24ns/73ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 40ns
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 250W
Element Configuration Single
Power - Max 250W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.1V
Reverse Recovery Time 170 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 24A
Current - Collector Pulsed (Icm) 96A
Switching Energy 520μJ (on), 240μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.7V
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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