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IRGP4650D-EPBF
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IRGP4650D-EPBF Spécifications techniques
IGBT 600V 76A 268W TO247AD
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 268W |
Element Configuration | Single |
Input Type | Standard |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 76A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Test Condition | 400V, 35A, 10 Ω, 15V |
Gate Charge | 104nC |
Td (on/off) @ 25°C | 46ns/105ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Fall Time-Max (tf) | 54ns |
Length | 15.87mm |
Radiation Hardening | No |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Rise Time-Max | 42ns |
Power Dissipation | 134W |
Power - Max | 268W |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.9V |
Reverse Recovery Time | 120 ns |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.9V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 35A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
Switching Energy | 390μJ (on), 632μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6.5V |
Height | 20.7mm |
Width | 5.31mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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