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IRGP50B60PDPBF Spécifications techniques

IRGP50B60PDPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 370W
Number of Elements 1
Power Dissipation 370W
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 50 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A
Continuous Collector Current 75A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Switching Energy 360μJ (on), 380μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5V
Height 24.99mm
Width 5.3086mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Additional Feature HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 75A
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 33 ns
Rise Time 26ns
Turn-Off Delay Time 140 ns
Max Collector Current 75A
JEDEC-95 Code TO-247AC
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Test Condition 390V, 33A, 3.3 Ω, 15V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Turn Off Time-Nom (toff) 190 ns
Gate Charge 240nC
Td (on/off) @ 25°C 34ns/130ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 65ns
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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