IRGP6630DPBF Spécifications techniques

IRGP6630DPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 192W
Max Collector Current 47A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 18A, 22 Ω, 15V
Gate Charge 30nC
Td (on/off) @ 25°C 40ns/95ns
Height 20.7mm
Width 5.31mm
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2006
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 192W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.95V
Reverse Recovery Time 70 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 18A
Current - Collector Pulsed (Icm) 54A
Switching Energy 75μJ (on), 350μJ (off)
Length 15.87mm
REACH SVHC No SVHC
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