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IRGR4045DTRLPBF Spécifications techniques

IGBT 600V 12A 77W DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 19 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 77W
Base Part Number IRGR4045
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2V
Reverse Recovery Time 74 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 6A, 47 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 127 ns
Gate Charge 19.5nC
Td (on/off) @ 25°C 27ns/75ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 22ns
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Rise Time-Max 15ns
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 77W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 12A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Turn On Time 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 18A
Switching Energy 56μJ (on), 122μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Radiation Hardening No
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