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IRGS10B60KDPBF
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IRGS10B60KDPBF Spécifications techniques
IRGS10B60KDPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2012 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Voltage - Rated DC | 600V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 22A |
Base Part Number | IRGS10B60KDPBF |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 156W |
Input Type | Standard |
Rise Time | 20ns |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2.2V |
Reverse Recovery Time | 90 ns |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.8V |
Test Condition | 400V, 10A, 47 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 276 ns |
Gate Charge | 38nC |
Td (on/off) @ 25°C | 30ns/230ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Height | 4.699mm |
Width | 9.652mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Max Power Dissipation | 156W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Application | MOTOR CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 22A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Turn On Time | 50 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 10A |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 44A |
Switching Energy | 140μJ (on), 250μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 5.5V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
IRGS10B60KDPBF Documents
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Feuilles de données
D'autres incluent "IRGS1" les pièces
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRGS10B60KD | IR | Circuits intégrés spécialisés | 2711 |
IRGS10B60KDPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - IGBT - Simple | 12568 |
IRGS10B60KDTRLP | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - IGBT - Simple | 2794 |
IRGS10B60KDTRLP | Infineon Technologies | IGBTs simples | |
IRGS10B60KDTRLP | Rochester Electronics, LLC | IGBTs simples | |
IRGS10B60KDTRPBF | IR | Circuits intégrés spécialisés | 364 |
IRGS10B60KDTRRP | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - IGBT - Simple | 9169 |
IRGS10B60KDTRRP | Infineon Technologies | IGBTs simples | |
IRGS10B60KDTRRP MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 174070 |
IRGS10B60KDTRRPBF | IR | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
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