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IRGS4045DPBF Spécifications techniques

IGBT 600V 12A 77W D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Rise Time-Max 22ns
Power Dissipation 39W
Turn On Delay Time 27 ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2V
Reverse Recovery Time 74 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
Current - Collector Pulsed (Icm) 18A
Switching Energy 56μJ (on), 122μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Height 4.83mm
Width 9.65mm
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tube
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 77W
Element Configuration Single
Input Type Standard
Power - Max 77W
Turn-Off Delay Time 75 ns
Max Collector Current 12A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 6A, 47 Ω, 15V
Gate Charge 19.5nC
Td (on/off) @ 25°C 27ns/75ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 22ns
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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