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IRGSL4B60KD1PBF
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IRGSL4B60KD1PBF Spécifications techniques
IRGSL4B60KD1PBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Max Power Dissipation | 63W |
Current Rating | 11A |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 63W |
Input Type | Standard |
Rise Time | 18ns |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2.5V |
Reverse Recovery Time | 93 ns |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5V |
Test Condition | 400V, 4A, 100 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 199 ns |
Gate Charge | 12nC |
Td (on/off) @ 25°C | 22ns/100ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Fall Time-Max (tf) | 89ns |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | ULTRA FAST SOFT RECOVERY |
Voltage - Rated DC | 600V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Application | MOTOR CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 11A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Turn On Time | 40 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 22A |
Switching Energy | 73μJ (on), 47μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 5.5V |
Height | 9.652mm |
Width | 4.826mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
IRGSL4B60KD1PBF Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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