IRGSL4B60KD1PBF Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 63W
Current Rating 11A
Number of Elements 1
Power Dissipation 63W
Input Type Standard
Rise Time 18ns
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.5V
Reverse Recovery Time 93 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 2.5V
Test Condition 400V, 4A, 100 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 199 ns
Gate Charge 12nC
Td (on/off) @ 25°C 22ns/100ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 89ns
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA FAST SOFT RECOVERY
Voltage - Rated DC 600V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application MOTOR CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 11A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 22A
Switching Energy 73μJ (on), 47μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5.5V
Height 9.652mm
Width 4.826mm
RoHS Status RoHS Compliant
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