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IRGSL6B60KDPBF
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IRGSL6B60KDPBF Spécifications techniques
IRGSL6B60KDPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2012 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Voltage - Rated DC | 600V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Application | MOTOR CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 13A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Turn On Time | 45 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 5A |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 26A |
Switching Energy | 110μJ (on), 135μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 5.5V |
Height | 9.652mm |
Width | 4.826mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Max Power Dissipation | 90W |
Current Rating | 13A |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 90W |
Input Type | Standard |
Rise Time | 17ns |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2.2V |
Reverse Recovery Time | 70 ns |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2V |
Test Condition | 400V, 5A, 100 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 258 ns |
Gate Charge | 18.2nC |
Td (on/off) @ 25°C | 25ns/215ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Fall Time-Max (tf) | 27ns |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
IRGSL6B60KDPBF Documents
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---|---|---|---|
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