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IRL1004STRRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.8W Ta 200W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5m Ω @ 78A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5330pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) 130A
Drain-source On Resistance-Max 0.0065Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 520A
Height 4.826mm
Width 9.65mm
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 150W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A Tc
Rise Time 210ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 700 mJ
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
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