IRL1404ZPBF Spécifications techniques

IRL1404ZPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 3.1MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 230W
Turn On Delay Time 19 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A Tc
Rise Time 180ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 30 ns
Threshold Voltage 2.7V
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Dual Supply Voltage 40V
Recovery Time 39 ns
Height 8.77mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 40V
Current Rating 75A
Power Dissipation-Max 230W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5080pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 49 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 200A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 790A
Avalanche Energy Rating (Eas) 220 mJ
Nominal Vgs 2.7 V
Length 10.6426mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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