IRL2910PBF Spécifications techniques

IRL2910PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 55A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 200W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A Tc
Rise Time 100ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 49 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 520 mJ
Nominal Vgs 2 V
Length 10.5156mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1998
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Lead Pitch 2.54mm
Power Dissipation-Max 200W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26m Ω @ 29A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
Fall Time (Typ) 55 ns
Continuous Drain Current (ID) 55A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 48A
Dual Supply Voltage 100V
Recovery Time 350 ns
Height 8.77mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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