IRL3803VPBF Spécifications techniques

IRL3803VPBF N-channel MOSFET Transistor, 140 A, 30 V, 3-Pin TO-220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC 30V
Current Rating 140A
Power Dissipation-Max 200W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5m Ω @ 71A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3720pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 37 ns
Continuous Drain Current (ID) 140A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 75A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 400 mJ
Length 10.6426mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 200W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 140A Tc
Rise Time 180ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 29 ns
Threshold Voltage 1V
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain-source On Resistance-Max 0.0055Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 470A
Height 16.51mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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