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IRL40SC209 Spécifications techniques

IRL40SC209 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.8m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15270pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 267nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 300A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 1200A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1404 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 375W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 478A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0008Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 40V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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