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IRL530NPBF Spécifications techniques
IRL530NPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 1998 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 17A |
Lead Pitch | 2.54mm |
Power Dissipation-Max | 79W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100m Ω @ 9A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4V 10V |
Fall Time (Typ) | 26 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 17A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Dual Supply Voltage | 100V |
Nominal Vgs | 2 V |
Length | 10.5156mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 100mOhm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY |
Voltage - Rated DC | 100V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 79W |
Turn On Delay Time | 7.2 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A Tc |
Rise Time | 53ns |
Vgs (Max) | ±16V |
Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 60A |
Recovery Time | 210 ns |
Height | 8.77mm |
Width | 4.69mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
IRL530NPBF Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRL530 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 21406 |
IRL530 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 21406 |
IRL530A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2574 |
IRL530A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2506 |
IRL530APBF | VB | Circuits intégrés spécialisés | 5000 |
IRL530L | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2636 |
IRL530L | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2682 |
IRL530N | IR | Circuits intégrés spécialisés | 28745 |
IRL530N MOS | IR | Circuits intégrés spécialisés | 526 |
IRL530NL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2784 |
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