IRL60B216 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 195A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15570pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 258nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Turn-Off Delay Time 190 ns
Threshold Voltage 2.4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 780A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1045 mJ
Length 10.67mm
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 70 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 195A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.0019Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
Height 16.51mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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