IRL6372PBF Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 8
Resistance 17.9MOhm
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation 2W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number IRL6372PBF
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5.9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 10μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 34 ns
Threshold Voltage 1.1V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.5mm
Width 4mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.9m Ω @ 8.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V
Rise Time 13ns
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 65A
Recovery Time 20 ns
Nominal Vgs 1.1 V
Length 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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