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IRLB8721PBF Spécifications techniques
IRLB8721PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 8.7mOhm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 65W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7m Ω @ 31A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1077pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 17 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 62A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Dual Supply Voltage | 30V |
Recovery Time | 24 ns |
Height | 9.02mm |
Width | 4.826mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2005 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 65W |
Turn On Delay Time | 9.1 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 62A Tc |
Rise Time | 93ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 9 ns |
Threshold Voltage | 1.8V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 250A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 98 mJ |
Nominal Vgs | 1.8 V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRLB8721PBF Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRLB8721 | IR | Circuits intégrés spécialisés | 1284 |
IRLB8721PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 18157 |
IRLB8743 | IR | Circuits intégrés spécialisés | 1409 |
IRLB8743PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 11354 |
IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
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