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IRLH5036TRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PDSO-N5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5360pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Nominal Vgs 1 V
Length 5.9944mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 5
Resistance 5.5MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.6W Ta 160W Tc
Power Dissipation 160W
Turn On Delay Time 23 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Ta 100A Tc
Rise Time 48ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 28 ns
Threshold Voltage 1V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Height 838.2μm
Width 5.0038mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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