IRLHS6376TR2PBF Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Supplier Device Package 6-PQFN (2x2)
Published 2009
Part Status Obsolete
Resistance 63MOhm
Min Operating Temperature -55°C
Base Part Number IRLHS6376
Power Dissipation 6.6W
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 11 ns
Threshold Voltage 800mV
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Recovery Time 12 ns
Drain to Source Resistance 63mOhm
Nominal Vgs 800 mV
Length 2.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 1.5W
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 4.4 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 10μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A
Rise Time 11ns
Fall Time (Typ) 9.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Input Capacitance 270pF
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 63 mΩ
Height 950μm
Width 2.1mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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