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IRLI520NPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Voltage - Rated DC 100V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 27W
Turn On Delay Time 40 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.1A Tc
Rise Time 35ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 23 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Dual Supply Voltage 100V
Isolation Voltage 2kV
Height 9.8mm
Width 4.826mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Resistance 180MOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 8.1A
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 30W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180m Ω @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.1A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 85 mJ
Nominal Vgs 2 V
Length 10.6172mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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