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IRLL2705TR Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 4
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40m Ω @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.2A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
Avalanche Energy Rating (Eas) 110 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Transistor Element Material SILICON
Published 1999
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Drain-source On Resistance-Max 0.051Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 55V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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