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IRLML2246TRPBF Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Power Dissipation-Max 1.3W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 10μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A Ta
Rise Time 7.7ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 16 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Recovery Time 26 ns
Height 1.02mm
Width 1.4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 236MOhm
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.3W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135m Ω @ 2.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 26 ns
Threshold Voltage -1.1V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Nominal Vgs -1.1 V
Length 3.04mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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