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IRLR120NTRPBF Spécifications techniques
IRLR120NTRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Voltage - Rated DC | 100V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 11A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 48W |
Turn On Delay Time | 4 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A Tc |
Rise Time | 35ns |
Vgs (Max) | ±16V |
Turn-Off Delay Time | 23 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Dual Supply Voltage | 100V |
Recovery Time | 160 ns |
Nominal Vgs | 2 V |
Length | 6.7056mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 185mOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 48W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185m Ω @ 6A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4V 10V |
Fall Time (Typ) | 22 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 10A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 85 mJ |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
Height | 2.52mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRLR120NTRPBF Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRLR110 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2395 |
IRLR110 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 62001 |
IRLR110A | F | Circuits intégrés spécialisés | 2693 |
IRLR110ATF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6710 |
IRLR110ATF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6710 |
IRLR110ATM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5000 |
IRLR110ATM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5000 |
IRLR110ATRPBF | F | Circuits intégrés spécialisés | 10000 |
IRLR110PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 27894 |
IRLR110PBF | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 22756 |
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