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IRLR3105TRPBF Spécifications techniques
IRLR3105TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 57W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37m Ω @ 15A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 5V 10V |
Fall Time (Typ) | 37 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 25A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 100A |
Height | 2.3876mm |
Width | 6.22mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 57W |
Turn On Delay Time | 8 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A Tc |
Rise Time | 57ns |
Vgs (Max) | ±16V |
Turn-Off Delay Time | 25 ns |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain to Source Breakdown Voltage | 55V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 61 mJ |
Length | 6.7056mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
IRLR3105TRPBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRLR3103 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 12258 |
IRLR3103 MOS | IR | Circuits intégrés spécialisés | 798 |
IRLR3103PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32815 |
IRLR3103PBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRLR3103TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 425 |
IRLR3103TRL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2599 |
IRLR3103TRLPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 15377 |
IRLR3103TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 114293 |
IRLR3103TRPBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRLR3103TRPBF MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 522 |
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