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IRLR3410TRLPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 79W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±16V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 17A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
Avalanche Energy Rating (Eas) 150 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1998
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain-source On Resistance-Max 0.125Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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